Un transistor de unión bipolar (BJT), es un dispositivo controlado por corriente en el que participan tanto la corriente de electrones como la corriente de huecos. El transistor de efecto de campo (FET); es un dispositivo unipolar, opera como un dispositivo controlado por voltaje, ya sea con corriente de electrones en un FET de canal N o con corriente de huecos en un FET de canal P. ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.
Los dispositivos BJT o los FET pueden emplearse para operar un circuito amplificador (o en otros circuitos electrónicos similares). Con consideraciones de polarización diferentes.
Características:
1. Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
2. No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
3. Hasta cierto punto inmune a la radiación.
4. Es menos ruidoso.
5. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
